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– Faible résistance à l’enclenchement et zone de fonctionnement sûre élargie, grâce à un procédé de dernière génération…
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KAWASAKI, Japon – Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) a lancé ” TPH3R10AQMun MOSFET de puissance à canal N de 100V fabriqué avec le processus de dernière génération de Toshiba, U-MOS X-H. Ce produit est destiné à des applications telles que les circuits de commutation et les circuits de remplacement à chaud.[1] sur les lignes d’alimentation des équipements industriels utilisés pour les centres de données et les stations de base de communication. Les livraisons commencent aujourd’hui.
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TPH3R10AQM est à la pointe de l’industrie.[2] 3,1mΩ maximum de résistance de drain-source, 16%.[2] inférieure à celle du produit 100V de Toshiba, ” TPH3R70APLqui utilise le processus de génération précédent. Selon la même comparaison, le TPH3R10AQM a élargi sa zone de sécurité de 76 %[3] ce qui le rend adapté au fonctionnement en mode linéaire. La réduction de la résistance On et l’extension de la plage de fonctionnement linéaire dans la zone de fonctionnement sûre réduisent le nombre de connexions parallèles. En outre, sa plage de tension de seuil de grille de 2,5V à 3,5V le rend moins susceptible de dysfonctionner en raison du bruit de la tension de grille.
Le nouveau produit utilise le boîtier SOP Advance(N) hautement compatible avec l’empreinte.
Toshiba continuera d’élargir sa gamme de MOSFET de puissance qui peuvent augmenter l’efficacité des alimentations en réduisant les pertes, et aider à réduire la consommation d’énergie des équipements.
Applications
- Alimentations pour les équipements de communication tels que les centres de données et les stations de base de communication
- Alimentations à découpage (convertisseurs DC-DC à haut rendement, etc.)
Caractéristiques
- Avec les meilleurs produits de l’industrie[2] excellente faible résistance à l’enclenchement : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)
- Large zone de fonctionnement sûre
- Température élevée du canal : Tch (max)=175°C
Notes :
[1] Circuit permettant de connecter et de déconnecter des composants d’un système sans arrêter le système lorsque l’équipement est en fonctionnement.
[2] Enquête de Toshiba en date de juin 2023.
[3] Largeur d’impulsion : tw=10ms, VDS=48V
Spécifications principales |
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(Sauf indication contraire, Ta=25°C) |
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Numéro de pièce |
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Valeurs nominales maximales absolues |
Tension de source du drain VDSS (V) |
100 |
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Courant de drainage (DC) ID (A) |
Tc=25°C |
120 |
|
Température du canal Tch (°C) |
175 |
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Caractéristiques électriques |
Résistance à la source du drain RDS(ON) max (mΩ) |
VGS=10V |
3.1 |
VGS=6V |
6.0 |
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Charge de grille totale (source de grille plus drain de grille) Qg typ. (nC) |
83 |
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Charge de l’interrupteur de porte Qsw typ. (nC) |
32 |
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Charge de sortie Qoss typ. (nC) |
88 |
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Capacité d’entrée Ciss typ. (pF) |
5180 |
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Paquet |
Nom |
SOP Advance(N) |
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Taille typ. (mm) |
4.9×6.1 |
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Vérification de l’échantillon et disponibilité |
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TPH3R10AQM
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