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Toshiba lance un MOSFET de puissance à canal N de 100 V qui permet la miniaturisation des circuits d’alimentation.

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– Faible résistance à l’enclenchement et zone de fonctionnement sûre élargie, grâce à un procédé de dernière génération…

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KAWASAKI, Japon – Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (« Toshiba ») a lancé  » TPH3R10AQMun MOSFET de puissance à canal N de 100V fabriqué avec le processus de dernière génération de Toshiba, U-MOS X-H. Ce produit est destiné à des applications telles que les circuits de commutation et les circuits de remplacement à chaud.[1] sur les lignes d’alimentation des équipements industriels utilisés pour les centres de données et les stations de base de communication. Les livraisons commencent aujourd’hui.

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TPH3R10AQM est à la pointe de l’industrie.[2] 3,1mΩ maximum de résistance de drain-source, 16%.[2] inférieure à celle du produit 100V de Toshiba,  » TPH3R70APLqui utilise le processus de génération précédent. Selon la même comparaison, le TPH3R10AQM a élargi sa zone de sécurité de 76 %[3] ce qui le rend adapté au fonctionnement en mode linéaire. La réduction de la résistance On et l’extension de la plage de fonctionnement linéaire dans la zone de fonctionnement sûre réduisent le nombre de connexions parallèles. En outre, sa plage de tension de seuil de grille de 2,5V à 3,5V le rend moins susceptible de dysfonctionner en raison du bruit de la tension de grille.
Le nouveau produit utilise le boîtier SOP Advance(N) hautement compatible avec l’empreinte.

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Toshiba continuera d’élargir sa gamme de MOSFET de puissance qui peuvent augmenter l’efficacité des alimentations en réduisant les pertes, et aider à réduire la consommation d’énergie des équipements.

Applications

  • Alimentations pour les équipements de communication tels que les centres de données et les stations de base de communication
  • Alimentations à découpage (convertisseurs DC-DC à haut rendement, etc.)

Caractéristiques

  • Avec les meilleurs produits de l’industrie[2] excellente faible résistance à l’enclenchement : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)
  • Large zone de fonctionnement sûre
  • Température élevée du canal : Tch (max)=175°C

Notes :
[1] Circuit permettant de connecter et de déconnecter des composants d’un système sans arrêter le système lorsque l’équipement est en fonctionnement.
[2] Enquête de Toshiba en date de juin 2023.
[3] Largeur d’impulsion : tw=10ms, VDS=48V

Spécifications principales

(Sauf indication contraire, Ta=25°C)

Numéro de pièce

TPH3R10AQM

Valeurs nominales maximales absolues

Tension de source du drain VDSS (V)

100

Courant de drainage (DC) ID (A)

Tc=25°C

120

Température du canal Tch (°C)

175

Caractéristiques électriques

Résistance à la source du drain RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

Charge de grille totale (source de grille plus drain de grille) Qg typ. (nC)

83

Charge de l’interrupteur de porte Qsw typ. (nC)

32

Charge de sortie Qoss typ. (nC)

88

Capacité d’entrée Ciss typ. (pF)

5180

Paquet

Nom

SOP Advance(N)

Taille typ. (mm)

4.9×6.1

Vérification de l’échantillon et disponibilité

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Suivez le lien ci-dessous pour en savoir plus sur le nouveau produit.
TPH3R10AQM

Suivez le lien ci-dessous pour en savoir plus sur les MOSFET de Toshiba.
MOSFETs

Pour vérifier la disponibilité des nouveaux produits auprès des distributeurs en ligne, visitez le site :
TPH3R10AQM
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À propos de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, l’un des principaux fournisseurs de semi-conducteurs et de solutions de stockage de pointe, s’appuie sur plus d’un demi-siècle d’expérience et d’innovation pour offrir à ses clients et à ses partenaires commerciaux des semi-conducteurs discrets, des systèmes LSI et des disques durs exceptionnels.
Les 21 500 employés de l’entreprise dans le monde entier partagent la même détermination à maximiser la valeur des produits et à promouvoir une collaboration étroite avec les clients dans la co-création de valeur et de nouveaux marchés. Avec un chiffre d’affaires annuel approchant les 800 milliards de yens (6,1 milliards de dollars américains), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation est impatient de construire et de contribuer à un avenir meilleur pour tous les peuples du monde.
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